MSKSEMI PESD系列優勢 1、電性能 低漏電流(<10nA)，低電容值(0.05pF)，快速的響應時間(<1ns)。 2、封裝類型 0201、0402、0603、2510。 3、獨特的生產工藝 非半導體工藝，非多層陶瓷結構，生產周期短。 4、采用自有高性能材料 獨家專有高分子材料，保證器件的高可靠性。 5、更好的供貨特性 器件規格統壹，交貨時間短，便於備貨，減少供應風險。

MSKSEMI ESD防靜電保護管系列： ESD 靜電保護元件，又稱靜電抑制二極管。ESD 是多個 TVS 晶粒或二極管采用不同的布局做成具有特 定功能的多路或單路 ESD 保護器件， 主要應用於各類通信接口靜電保護，如 USB、HDMI、RS485、 RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD 等；ESD器件封裝多樣化!

MSKSEMI TVS瞬態抑制二極管 TVS的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同;反向特性為典型的PN結雪崩器件。在瞬態峰值脈沖電流作用下，流過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其 兩極呈現的電壓由額定反向關斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現，流過TVS的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預定的最大箝位電壓以下。 然後，隨著脈沖電流按指數衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，最後恢復到起始狀態。

MSKSEMI MOS管 場效應晶體管，屬於三級管的壹種，縮寫 MOS 或者 FET，MOS 有 G，S，D 三個腳位， MOSFET 按電流方向分有 N 型和 P 型(N 溝道和 P 溝道) MSKSEMI MOS管具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等；其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者壹種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件；在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。